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- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200680042224.2有效
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根本道生
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富士电机电子技术株式会社
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2006-11-13
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2008-11-12
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H01L29/861
- 在将氧引入作为N－型第一半导体层的N－型FZ晶片(10)后，P型第二半导体层(2)和阳极(4)在该FZ晶片(10)的表面上形成。该FZ晶片(10)从该阳极(4)一侧进行质子辐照，从而将晶格缺陷(12)引入该FZ晶片(10)。通过执行热处理恢复在该FZ晶片(10)中的晶格缺陷(12)，使在第一半导体层中一部分的净掺杂浓度比FZ晶片(10)的初始净掺杂浓度高，且形成所期望的宽缓冲结构。用这种方法，可以使用FZ体晶片便宜地制造具有快速运行和低的损耗，且具有软开关特性的半导体器件，且具有好的可控性和产率。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]用于在公共充电站处对机动车辆充电的方法和系统-CN201780009287.6有效
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G.A.芬特
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大陆泰密克微电子有限责任公司
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2017-01-11
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2021-09-07
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B60L53/60
- 公开一种用于在多个公共充电站（LS1，LS2）处对多个机动车辆（FZ1，FZ2）、尤其是混合动力/电动车辆充电的方法，具有以下步骤：确定（S110）释放时间点（tfl，tf2），其中各自充电站（LS1，LS2）在所述释放时间点被释放用于充电；确定（S230）到达时间点（ta11，ta12；ta21，ta22），其中所述各自机动车辆（FZ1，FZ2）可以在所述到达时间点到达各自充电站（LS1，LS2）；计算（S310）在各自的所确定的释放时间点（tf1，tf2）和各自的所确定的到达时间点（ta11，ta12；ta21，ta22）之间的时间间隔作为用于在各自充电站（LS1，LS2）处对各自机动车辆（FZ1，FZ2）充电的需要的等待时间（tw11，tw12；tw21，tw22）；在最小化实际总等待时间的条件下，根据所计算的等待时间（tw11，tw12；tw21，tw22）决定（S320）：各自机动车辆（FZ1，FZ2）将驶向所述充电站（LS1，LS2）中的哪一个用于充电，所述实际总等待时间构成用于在各自充电站（LS1，LS2）处对各自机动车辆（FZ1，FZ2）充电的实际等待时间（tw12，tw21）的总和。
- 用于公共充电站机动车辆充电方法系统
- [实用新型]一种用于多规格相机电池的充电器-CN202221102763.3有效
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张凯;白少杰
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深圳艾斯特创新科技有限公司
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2022-05-09
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2022-09-06
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H02J7/00
- 本实用新型公开一种用于多规格相机电池的充电器，包括壳体和设于所述壳体上的电池充电腔；所述电池充电腔包括由上至下依次层叠设置的NP‑BX1电池充电腔、NP‑FZ100电池充电腔和NP‑FW50电池充电腔，所述NP‑BX1电池充电腔、NP‑FZ100电池充电腔和NP‑FW50电池充电腔的大小依次减小，且所述NP‑BX1电池充电腔的底部与NP‑FZ100电池充电腔的侧面顶部之间形成有NP‑BX1电池承载台，所述NP‑FZ100电池充电腔的底部与所述NP‑FW50电池充电腔的侧面顶部之间形成有NP‑FZ100电池承载台，所述NP‑BX1电池充电腔的侧面设置有NP‑BX1电池充电弹簧针，所述NP‑FZ100电池充电腔的侧面设置有NP‑FZ100电池充电插片，所述NP‑FW50电池充电腔的侧面设置有NP‑FW50电池充电插片。
- 一种用于规格相机电池充电器
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